NTHD4N02FT1參數(shù):MOSFET N-CH 20V 2.9A CHIPFET
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: LTBNotification03/Jan/2008標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:二極管(隔離式)漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):2.9A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):80毫歐@2.9A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1.2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):4nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):300pF@10V功率-最大值:910mW安裝類型:表面貼裝封裝:8-SMD,扁平引線供應(yīng)商器件封裝:ChipFET?