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NTHS2101PT1G

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相關(guān)型號： NTHS2101PT1 NTHS1210N04N1003JF NTHS1206N17N2203JR NTHS1206N17N2203JP NTHS1206N17N2203JF NTHS1206N17N2203JE

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NTHS2101PT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 8V 5.4A CHIPFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：25毫歐@5.4A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：2400pF@6.4V
功率-最大值：1.3W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：ChipFET?

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