NTJD1155LT1G
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NTJD1155LT1G參數(shù)：MOSFET N/P-CH 8V 1.3A SOT-363

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：8V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：1.3A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：175 毫歐 @ 1.2A，4.5V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：1V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：-
功率 - 最大值：400mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363
供應(yīng)商器件封裝：SOT-363