NTLJS1102PTBG
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NTLJS1102PTBG參數(shù)：MOSFET P-CH 8V 3.7A 6-WDFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：8V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3.7A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：36毫歐@6.2A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：720mV@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：25nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1585pF@4V
功率-最大值：700mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-WDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）