NTMD4N03R2G
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NTMD4N03R2G參數(shù)：MOSFET PWR N-CH DL 4A 30V 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： WireChange20/Aug/2008
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：4A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：60毫歐@4A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：16nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：400pF@20V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN