NTMD6P02R2G
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NTMD6P02R2G參數(shù)：MOSFET PWR P-CHAN DUAL 20V 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： WireChange20/Aug/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)P溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.8A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：33毫歐@6.2A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1.2V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：35nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1700pF@16V
功率-最大值：750mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN