NTMFS4119NT1G
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NTMFS4119NT1G參數(shù)：MOSFET N-CHAN 18A 30V SO8 FL

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ReactivationNotice08/Apr/2011 ProductDiscontinuation27/Jan/2012
標準包裝：1,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：11A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：3.5毫歐@29A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：60nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4800pF@24V
功率-最大值：900mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TDFN裸焊盤（5根引線）
供應商器件封裝：6-DFN，8-SO扁平引線（5x6）