NTMFS4826NET3G
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NTMFS4826NET3G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 66A SO-8FL

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： 1Q2012Discontinuation30/Mar/2012
標準包裝：5,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：9.5A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.9毫歐@30A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：20nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1850pF@12V
功率-最大值：870mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TDFN裸焊盤（5根引線）
供應(yīng)商器件封裝：6-DFN，8-SO扁平引線（5x6）