NTMFS5832NLT1G
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NTMFS5832NLT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 110A SO-8FL

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
標準包裝：1,500
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：40V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：20A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：4.2 毫歐 @ 20A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：51nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2700pF @ 25V
功率 - 最大值：3.1W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TDFN 裸焊盤（5 根引線）
供應(yīng)商器件封裝：6-DFN，8-SO 扁平引線（5x6）