NTMS4101PR2
PDF資料下載

NTMS4101PR2參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 6.9A 8-SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence01/Apr/2004
標準包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6.9A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：19毫歐@6.9A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：450mV@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：32nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：3200pF@10V
功率-最大值：1.38W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN