NTMSD6N303R2G
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NTMSD6N303R2G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence14/Apr/2010
標準包裝：2,500
系列：FETKY™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：二極管（隔離式）
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：6A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：32毫歐@6A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：950pF@24V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應商器件封裝：8-SOICN