NTR0202PLT1G參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 400MA SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：400mA不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：800毫歐@200mA，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2.3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.18nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：70pF@5V功率-最大值：225mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
