NTR2101PT1參數(shù)：MOSFET P-CH 8V 3.7A SOT-23
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： LTBNotification03/Jan/2008 WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：8V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：-不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：52毫歐@3.5A，4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：15nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1173pF@4V功率-最大值：960mW安裝類型：表面貼裝封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）
