NTR4170NT1G
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NTR4170NT1G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：-
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：55毫歐@3.2A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：4.76nC@4.5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：432pF@15V
功率-最大值：780mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供應(yīng)商器件封裝：SOT-23-3（TO-236）