NTR4170NT1G參數(shù):MOSFET N-CH 30V 3.2A SOT23
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: WireChangeforSOT23Pkg26/May/2009標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETN通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):30V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時):-不同?Id、Vgs時的?RdsOn(最大值):55毫歐@3.2A,10V不同Id時的Vgs(th)(最大值):1.4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg):4.76nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss):432pF@15V功率-最大值:780mW安裝類型:表面貼裝封裝:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3供應(yīng)商器件封裝:SOT-23-3(TO-236)