RJK03E1DNS-00#J5參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 25A 8-HWSON
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：-包裝：帶卷 (TR)FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：30V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：25A不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：6.9 毫歐 @ 12.5A，10V不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：-不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：10.7nC @ 4.5V不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：2300pF @ 10V功率 - 最大值：15W安裝類型：表面貼裝封裝：8-WDFN 裸露焊盤供應(yīng)商器件封裝：8-HWSON（3.3x3.3）
