RJP020N06T100
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RJP020N06T100參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 2A SOT-89

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓模塊： MOSFETs
產(chǎn)品目錄繪圖： xT100SeriesSOT-89
標準包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：60V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：2A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：240毫歐@2A，4.5V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1.5V@1mA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10nC@4V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：160pF@10V
功率-最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-243AA
供應(yīng)商器件封裝：MPT3