RT1A040ZPTR
PDF資料下載

RT1A040ZPTR參數(shù)：MOSFET P-CH 12V 4A TSST8

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品目錄繪圖： MOSFETTSST-8
特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：12V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：30毫歐@4A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：30nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：2350pF@6V
功率-最大值：1.25W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSST
供應(yīng)商器件封裝：TSST8