SH8M4TB1參數(shù)：MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： MOSFETs產(chǎn)品目錄繪圖： RRS,RSSSeries8-SOP,8-SOIC特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：N和P溝道FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：9A，7A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：18毫歐@9A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@1mA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：15nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：1190pF@10V功率-最大值：2W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN
