SPU02N60C3
PDF資料下載

SPU02N60C3參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 1.8A IPAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,500
系列：CoolMOS™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：650V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：1.8A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：3歐姆@1.1A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3.9V@80µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：12.5nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：200pF@25V
功率-最大值：25W
安裝類型：通孔
封裝：TO-251-3長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB
供應(yīng)商器件封裝：PG-TO251-3