STH110N10F7-2
PDF資料下載

STH110N10F7-2參數(shù)：MOSFET N CH 100V 110A H2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關(guān)文件： STH110N10F7-2ViewAllSpecifications
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：StripFET™VII,DeepGATE™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：110A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6.5毫歐@55A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：60nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：5500pF@50V
功率-最大值：150W
安裝類型：表面貼裝
封裝：2-SMD
供應(yīng)商器件封裝：H²PAK