STH250N55F3-6參數(shù)：MOSFET N-CH 55V 180A H2PAK-6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STH250N55F3-6ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：STripFET™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：55V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：180A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.6毫歐@60A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：100nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：6800pF@25V功率-最大值：300W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-263-7，D²Pak（6引線+接片）供應(yīng)商器件封裝：H²PAK
