STI11NM80參數(shù)：MOSFET N-CH 800V 11A I2PAK-3
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STI11NM80ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：MDmesh™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：800V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：11A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：400毫歐@5.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：5V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：43.6nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1630pF@25V功率-最大值：150W安裝類型：通孔封裝：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA供應(yīng)商器件封裝：I2PAK（TO-262）
