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STP10N62K3參數(shù)：MOSFET N-CH 620V 8.4A TO220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STP10N62K3ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：SuperMESH™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：620V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：8.4A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：750毫歐@4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4.5V@100µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：42nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：1250pF@50V功率-最大值：125W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
