STP110N55F6
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STP110N55F6參數：MOSFET N CH 55V 110A TO-220

類別：分立半導體產品-FET - 單
其它有關文件： STP110N55F6ViewAllSpecifications STP110N55F6ViewAllSpecifications
標準包裝：1,000
系列：STripFET™VI,DeepGATE™
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：55V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：110A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：5.2毫歐@60A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：120nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：8350pF@25V
功率-最大值：150W
安裝類型：通孔
封裝：TO-220-3
供應商器件封裝：TO-220