STP11NM65N參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 11A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STP11NM65NViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：Mdmesh™II包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：11A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：455毫歐@5.5A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：29nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：800pF@50V功率-最大值：110W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220
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