STP165N10F4參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STP165N10F4ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：STripFET™DeepGATE™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：120A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：5.5毫歐@60A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：180nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：10500pF@25V功率-最大值：315W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220AB
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