STP70N10F4參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 65A TO-220
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單其它有關(guān)文件： STP70N10F4ViewAllSpecifications標(biāo)準(zhǔn)包裝：50系列：STripFET™包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：100V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：65A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：19.5毫歐@30A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：85nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：5800pF@25V功率-最大值：150W安裝類型：通孔封裝：TO-220-3供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3
