STQ1HNK60R-AP
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STQ1HNK60R-AP參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 400MA TO-92

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
其它有關文件： STQ1HNK60RViewAllSpecifications
標準包裝：2,000
系列：SuperMESH™
包裝：帶盒（TB）
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：600V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：400mA
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：8.5歐姆@500mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.7V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：156pF@25V
功率-最大值：3W
安裝類型：通孔
封裝：TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成形引線
供應商器件封裝：TO-92