TK39J60W,S1VQ參數(shù)：MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單特色產(chǎn)品： DTMOSIVSuperjunctionMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：25系列：-包裝：管件FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：600V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：38.8A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：65毫歐@19.4A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3.7V@1.9mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：110nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：4100pF@300V功率-最大值：270W安裝類型：通孔封裝：TO-3P-3，SC-65-3供應(yīng)商器件封裝：TO-3P（N）
