US6K4TR參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TUMT6
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列產(chǎn)品目錄繪圖： TUMT-6PackageTop特色產(chǎn)品： ECOMOS?SeriesMOSFETs標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：20V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：180毫歐@1.5A，4.5V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：1V@1mA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：2.5nC@4.5V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：110pF@10V功率-最大值：1W安裝類型：表面貼裝封裝：6-SMD，扁平引線供應(yīng)商器件封裝：TUMT6
