VMO1600-02P參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 1900A Y3-LI
類別：半導(dǎo)體模塊-FET標(biāo)準(zhǔn)包裝：2系列：PolarHT™包裝：托盤FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：200V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：1900A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：1.7 毫歐 @ 1600A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 5mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：2900nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：-功率 - 最大值：-安裝類型：底座安裝封裝：Y3-Li供應(yīng)商器件封裝：Y3-Li
