ZXMN10A08G
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ZXMN10A08G參數(shù)：MOSFET N-CHAN 100V SOT223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
其它圖紙： SOT-223Footprint
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：2A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：250毫歐@3.2A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：7.7nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：405pF@50V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223