ZXMN3G32DN8TA參數(shù)：MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列PCNDesign/Specification： WaferSite/BondWire8/Apr/2013標(biāo)準(zhǔn)包裝：500系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：2個N溝道（雙）FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：30V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：5.5A不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：28毫歐@6A，10V不同Id時的Vgs(th)（最大值）：3V@250µA不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：10.5nC@10V不同Vds時的輸入電容(Ciss)：472pF@15V功率-最大值：1.25W安裝類型：表面貼裝封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）供應(yīng)商器件封裝：8-SOP
ZETEXSOP82023+93350全新原廠原裝現(xiàn)貨
