FQT7N10LTF
PDF資料下載

FQT7N10LTF參數(shù)：MOSFET N-CH 100V 1.7A SOT-223

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： HighVoltageSwitchesforPowerProcessing
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
系列：QFET™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：100V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：1.7A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：350毫歐@850mA，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：6nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：290pF@25V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223-3