HCT802
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HCT802參數(shù)：MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
系列：-
包裝：散裝
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)：90V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時）：2A，1.1A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 1A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：-
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：70pF @ 25V
功率 - 最大值：500mW
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-SMD，無引線
供應(yīng)商器件封裝：6-SMD