HCT802參數(shù)：MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：1系列：-包裝：散裝FET 類(lèi)型：N 和 P 溝道FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓 (Vdss)：90V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：2A，1.1A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：5 歐姆 @ 1A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：-不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：70pF @ 25V功率 - 最大值：500mW安裝類(lèi)型：表面貼裝封裝：6-SMD，無(wú)引線供應(yīng)商器件封裝：6-SMD
