IPB023N04N G
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IPB023N04N G參數(shù)：MOSFET N-CH 40V 90A TO263-3

類別：分立半導體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation26/Jul/2012
標準包裝：1,000
系列：OptiMOS™
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：標準
漏源極電壓(Vdss)：40V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：90A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：2.3毫歐@90A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：4V@95µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：120nC@10V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：10000pF@20V
功率-最大值：167W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應商器件封裝：PG-TO263-2