IPD65R380E6參數(shù)：MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： CoolMOS™CPHighVoltageMOSFETsConverters標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500系列：CoolMOS™包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：標(biāo)準(zhǔn)漏源極電壓(Vdss)：650V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：10.6A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：380毫歐@3.2A，10V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：3.5V@320µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：39nC@10V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：710pF@100V功率-最大值：83W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-252-3，DPak（2引線+接片），SC-63供應(yīng)商器件封裝：PG-TO252-3
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