IPG20N06S2L-35參數(shù)：MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8-4
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列標(biāo)準(zhǔn)包裝：5,000系列：OptiMOS™包裝：帶卷 (TR)FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）FET 功能：邏輯電平門漏源極電壓 (Vdss)：55V電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：20A不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：35 毫歐 @ 15A，10V不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 27µA不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：23nC @ 10V不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：790pF @ 25V功率 - 最大值：65W安裝類型：表面貼裝封裝：8-PowerTDFN供應(yīng)商器件封裝：PG-TDSON-8-4（5.15x6.15）
