IXBT2N250
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IXBT2N250參數(shù)：IGBT 2500V 5A 32W TO268

類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路
標(biāo)準(zhǔn)包裝：30
系列：BIMOSFET™
包裝：管件
IGBT 類(lèi)型：-
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：2500V
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on)：3.5V @ 15V，2A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：5A
Current - Collector Pulsed (Icm)：13A
功率 - 最大值：32W
Switching Energy：-
輸入類(lèi)型：標(biāo)準(zhǔn)
Gate Charge：10.6nC
Td (on/off) A 25°C：-
Test Condition：-
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr)：920ns
封裝：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
安裝類(lèi)型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：TO-268