IXBT2N250參數(shù):IGBT 2500V 5A 32W TO268
類(lèi)別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-IGBT - 單路標(biāo)準(zhǔn)包裝:30系列:BIMOSFET™包裝:管件IGBT 類(lèi)型:-電壓 - 集射極擊穿(最大值):2500V不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on):3.5V @ 15V,2A電流 - 集電極 (Ic)(最大值):5ACurrent - Collector Pulsed (Icm):13A功率 - 最大值:32WSwitching Energy:-輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)Gate Charge:10.6nCTd (on/off) A 25°C:-Test Condition:-反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):920ns封裝:TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA安裝類(lèi)型:表面貼裝供應(yīng)商器件封裝:TO-268