NSS35200CF8T1G
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NSS35200CF8T1G參數(shù)：TRANSISTOR PNP 2A 35V 8CHIPFET

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 單路
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： LowVce(sat)BJTPowerSavings
產(chǎn)品變化通告： WireChangeforChipFetPkg20/Jul/2010
標準包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：PNP
電流-集電極(Ic)（最大值）：2A
電壓-集射極擊穿（最大值）：35V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@20mA，2A
電流-集電極截止（最大值）：100nA
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：100@1.5A，2V
功率-最大值：635mW
頻率-躍遷：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SMD，扁平引線
供應(yīng)商器件封裝：ChipFET?