NSS40200UW6T1G
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NSS40200UW6T1G參數(shù)：TRANSISTOR PNP 4A 40V 6-WDFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 單路
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊： LowVce(sat)BJTPowerSavings
產(chǎn)品變化通告： WireBondChange07/Sept/2011
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：PNP
電流-集電極(Ic)（最大值）：2A
電壓-集射極擊穿（最大值）：40V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：300mV@20mA，2A
電流-集電極截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：150@1A，2V
功率-最大值：875mW
頻率-躍遷：140MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-WDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-WDFN（2x2）