NST857BDP6T5G
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NST857BDP6T5G參數(shù)：TRANSISTOR PNP DUAL GP SOT-963

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-晶體管(BJT) - 陣列
產(chǎn)品變化通告： WireBondChange01/Dec/2010
標準包裝：8,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
晶體管類型：2PNP（雙）
電流-集電極(Ic)（最大值）：100mA
電壓-集射極擊穿（最大值）：45V
不同?Ib、Ic時的?Vce飽和值（最大值）：700mV@5mA，100mA
電流-集電極截止（最大值）：-
不同?Ic、Vce?時的DC電流增益(hFE)（最小值）：220@2mA，5V
功率-最大值：350mW
頻率-躍遷：100MHz
安裝類型：表面貼裝
封裝：SOT-963
供應(yīng)商器件封裝：SOT-963