NTB75N03-6G
PDF資料下載

NTB75N03-6G參數(shù)：MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation03/Apr/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
系列：-
包裝：管件
FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時）：75A
不同?Id、Vgs時的?RdsOn（最大值）：6.5毫歐@37.5A，10V
不同Id時的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時的柵極電荷(Qg)：75nC@5V
不同Vds時的輸入電容(Ciss)：5635pF@25V
功率-最大值：2.5W
安裝類型：表面貼裝
封裝：TO-263-3，D²Pak（2引線+接片），TO-263AB
供應(yīng)商器件封裝：D2PAK