NTF3055L108T1G參數(shù)：MOSFET N-CH 60V 3A SOT223
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告： SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000系列：-包裝：帶卷(TR)FET類型：MOSFETN通道，金屬氧化物FET功能：邏輯電平門漏源極電壓(Vdss)：60V電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：3A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：120毫歐@1.5A，5V不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：15nC@5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：440pF@25V功率-最大值：1.3W安裝類型：表面貼裝封裝：TO-261-4，TO-261AA供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
