NTF6P02T3G參數(shù):MOSFET P-CH 20V 10A SOT223
類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單產(chǎn)品變化通告: SpecificationChangeMSLUpdated2/April/2007 ReactivationNotice08/Apr/2011 ProductObsolescence14/Apr/2010標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000系列:-包裝:帶卷(TR)FET類型:MOSFETP通道,金屬氧化物FET功能:邏輯電平門漏源極電壓(Vdss):20V電流-連續(xù)漏極(Id)(25°C時(shí)):10A不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn(最大值):50毫歐@6A,4.5V不同Id時(shí)的Vgs(th)(最大值):1V@250µA不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg):20nC@4.5V不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss):1200pF@16V功率-最大值:8.3W安裝類型:表面貼裝封裝:TO-261-4,TO-261AA供應(yīng)商器件封裝:SOT-223