NTLGD3502NT1G
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NTLGD3502NT1G參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： ProductObsolescence21/Jan/2010
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：4.3A，3.6A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：60毫歐@4.3A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：4nC@4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：480pF@10V
功率-最大值：1.74W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-VDFN裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-DFN（3x3）