NTLGD3502NT2G
PDF資料下載

NTLGD3502NT2G參數(shù)：MOSFET N-CH DUAL 20V 6-DFN

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
標(biāo)準(zhǔn)包裝：3,000
系列：-
包裝：帶卷 (TR)
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)：20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)）：4.3A，3.6A
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：60 毫歐 @ 4.3A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)：4nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)：480pF @ 10V
功率 - 最大值：1.74W
安裝類型：表面貼裝
封裝：6-VDFN 裸露焊盤
供應(yīng)商器件封裝：6-DFN（3x3）