NTMD6N03R2G
PDF資料下載

NTMD6N03R2G參數(shù)：MOSFET PWR N-CH DL 6A 30V 8SOIC

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 陣列
產(chǎn)品變化通告： WireChange20/Aug/2008
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,500
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：2個(gè)N溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：30V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：32毫歐@6A，10V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：2.5V@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：30nC@10V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：950pF@24V
功率-最大值：2W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-SOIC（0.154"，3.90mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-SOICN