NTQS6463R2
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NTQS6463R2參數(shù)：MOSFET P-CH 20V 6.8A 8-TSSOP

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品-FET - 單
產(chǎn)品變化通告： ProductDiscontinuation02/Jan/2007
標(biāo)準(zhǔn)包裝：4,000
系列：-
包裝：帶卷(TR)
FET類型：MOSFETP通道，金屬氧化物
FET功能：邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss)：20V
電流-連續(xù)漏極(Id)（25°C時(shí)）：6.8A
不同?Id、Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：20毫歐@6.8A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs(th)（最大值）：900mV@250µA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷(Qg)：50nC@5V
不同Vds時(shí)的輸入電容(Ciss)：-
功率-最大值：1.39W
安裝類型：表面貼裝
封裝：8-TSSOP（0.173"，4.40mm寬）
供應(yīng)商器件封裝：8-TSSOP